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直击SEMI-e半导体展,8/12英寸衬底、高功率GaN方案集中亮相

其中,天科合达展示的8英寸导电型衬底代表了其在大尺寸衬底技术上的突破。公司通过自主研发的长晶技术,实现8英寸晶体的稳定生长,并解决了多型缺陷、平面六方空洞等难题,提升了衬底质量。相较于6英寸产品,8英寸导电型衬底在规模化生产时可有效降低单位成本,提高生产效率。

碳化硅 半导体 化合物半导体 外延片 科友 2025-09-12 23:13  5